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IPB530N15N3 G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IPB530N15N3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 35µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:887pF @ 75V
功率_最大:68W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-2
包裝:帶卷 (TR)

IPB530N15N3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 35µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:887pF @ 75V
功率_最大:68W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-2
包裝:剪切帶 (CT)

IPB530N15N3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 35µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:887pF @ 75V
功率_最大:68W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-2
包裝:Digi-Reel®

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